型號(hào): | 2SD2206 |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | LEAD FREE, TO-92MOD, 2-5J1A, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 4/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 116K |
代理商: | 2SD2206 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD2213TZ | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SD2213TZ | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SD2216GQ | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2216GR | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2216G | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD2206(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SD2206(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SD2206(TE6,F,M) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TOS2SD2206(TE6,F,M) TRANSISTOR (SILICON) |
2SD2206(TPE6,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
2SD2206,T6F(J | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |