參數(shù)資料
型號: 2SD2206
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: LEAD FREE, TO-92MOD, 2-5J1A, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 135K
代理商: 2SD2206
2SD2206
2009-12-21
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
hFE – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Collector current IC (A)
Base-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
BE
(sat)
(V)
Collector current IC (A)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
VBE (sat) – IC
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
10 k
10 m
10
1 k
3 k
30 m
100 m
300 m
1
10
Ta = 100°C
25
55
Common emitter
VCE = 2 V
3
30
100
300
0.3
3
Ta = 55°C
100
25
Common emitter
IC/IB = 1000
1
0.5
3
5
0.5
0
2.4
3.2
Common emitter
VCE = 2 V
1
2
3
Ta = 100°C
25
55
0.8
4.0
1.6
0.5
3
500 m
Common emitter
IC/IB = 1000
Ta = 55°C
25
100
1
5
3
300 m
100 m
1
10
0
1
3
1
2
3
5
Common emitter
Ta = 25°C
IB = 200 μA
300 μA
4
2
4
400 μA
500 μA
700 μA
1 mA
2 mA
3 mA
10
30 50
0.05
0.3
5
0.03
0.1
0.3
0.5
1
*: Single nonrepetitive pulse
Ta = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
IC max (pulsed)*
VCEO max
1 ms*
10 ms*
100 μs*
100
3
300
5
1
0.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2209P 4 A, 115 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2213 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2213 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD2215AQ 0.75 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2215AP 0.75 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2206(T6CANO,F,M 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2206(T6CNO,A,F) 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2206(TE6,F,M) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TOS2SD2206(TE6,F,M) TRANSISTOR (SILICON)
2SD2206(TPE6,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape
2SD2206,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1