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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2209H |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 85 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SD2209H |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1233H | 1 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1747H | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1743ATX | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1148AH | 10 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1754TX | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD221 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Transistor |
| 2SD2210 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
| 2SD22100RL | 功能描述:TRANS NPN LF 20VCEO .5A MINI-PWR RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2210R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
| 2SD2210S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
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