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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2212B |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | 2SD2212B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4132Q | 2000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1898 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5053 | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2211 | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2150 | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2212T100 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD2213 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 2SD2213TZ | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 2SD2214 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORTO-220FA60V 8A 2W BCE |
| 2SD2215 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type(Silicon NPN triple diffusion planar type) |
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