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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2215P |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.75 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | 2SD2215P |
2
Power Transistors
2SD2215, 2SD2215A
PC —Ta
IC —VCE
IC —VBE
VCE(sat) —IC
hFE —IC
fT —IC
Area of safe operation (ASO)
Rth(t) —t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
20
15
5
10
(1) T
C=Ta
(2) Without heat sink
(P
C=1.3W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
012
10
8
26
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
B=14mA
12mA
10mA
2mA
4mA
6mA
8mA
T
C=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
02.4
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
4.0
3.2
2.4
1.6
0.8
T
C=100C
25C
–25C
V
CE=10V
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0.01
3
1
0.1
0.03
0.3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C/IB=10
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE=10V
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
0.001
0.01
0.1
1
0.003
0.03
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
CE=10V
f=10MHz
T
C=25C
Collector current I
C
(A)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
1
10
100
1000
3
30
300
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
10ms
t=1ms
DC
2SD2215
2SD2215A
I
CP
I
C
Non repetitive pulse
T
C=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
10–3
102
10–2
1
10–1
10
103
104
0.1
1
10
100
1000
Note: R
th was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) Without heat sink
(2) With a 50
× 50 × 2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(C/W
)
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
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http://panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2215Q | 0.75 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2216JQ | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2216JR | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2217 | 0.3 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2221P | 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2215Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-251VAR |
| 2SD2216 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD2216G0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2216J | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
| 2SD2216J0L | 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO .1A SS-MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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