參數(shù)資料
型號： 2SD2215Q
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-251VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 250V五（巴西）總裁| 750mA電流一（c）|至251VAR
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SD2215Q
3
Power Transistors
2SD2209
R
th(t)
— t
10
–3
10
2
10
–2
1
Time t (s)
10
–1
10
10
3
10
4
0.1
1
10
100
1000
Note: R
was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) Without heat sink
(2) With a 50
×
50
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2220Q TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126VAR
2SD2220R TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126VAR
2SD2221
2SD2222P TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 160V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR
2SD2222Q TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 160V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2216 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2216G0L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2216J 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SD2216J0L 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO .1A SS-MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2216L 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Amplification
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