參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2216GQ
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 187K
代理商： 2SD2216GQ
2SD2216G
2
SJC00406BED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
IC VBE
IC IB
VCE(sat) IC
PC Ta
IC VCE
IB VBE
hFE IC
fT IE
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
150
125
100
75
50
25
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
010
48
26
0
60
40
30
50
20
10
Ta
= 25°C
IB
= 160 A
140
A
120
A
100
A
80
A
60
A
40
A
20
A
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
1 200
1 000
800
600
400
200
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Base
current
I
B
(
A
)
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
240
200
160
120
80
40
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
01 000
800
200
600
400
0
240
160
120
200
80
40
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
Base current I
B (A)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
300
240
180
120
60
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
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PDF描述
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