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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2216GS |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 187K |
| 代理商： | 2SD2216GS |
2SD2216G
2
SJC00406BED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
IC VBE
IC IB
VCE(sat) IC
PC Ta
IC VCE
IB VBE
hFE IC
fT IE
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
150
125
100
75
50
25
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
010
48
26
0
60
40
30
50
20
10
Ta
= 25°C
IB
= 160 A
140
A
120
A
100
A
80
A
60
A
40
A
20
A
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
1 200
1 000
800
600
400
200
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Base
current
I
B
(
A
)
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
240
200
160
120
80
40
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
01 000
800
200
600
400
0
240
160
120
200
80
40
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
Base current I
B (A)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
300
240
180
120
60
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2222S | 8 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2222P | 8 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2222Q | 8 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2225S | 500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2225Q | 500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2216J | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
| 2SD2216J0L | 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO .1A SS-MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2216L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Amplification |
| 2SD2217 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING |
| 2SD2217AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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