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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2219-Q |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | 2SD2219-Q |
2SB1468/2SD2219
No.3364–2/4
Switching Time Test Circuit
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S3
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0s
Continued from preceding page.
PW=20
s
D.C.=1%
INPUT
VCC=10V
50
RB
IB1
IB2
100
F
470
F
VBE= --5V
VR
+
RL
2
OUTPUT
10IB1= --10IB2=IC=5A
1
100
ITR09787
IC -- VBE(on)
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
--8
--4
--12
--20
--24
--16
2SB1468
VCE= --2V
Pulse
ITR09788
IC -- VBE(on)
0
0.2
0.4
0.8
0.6
1.0
1.2
1.4
0
4
8
12
16
20
24
2SD2219
VCE=2V
Pulse
ITR09785
IC -- VCE
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
IB=0
--50mA
ITR09786
IC -- VCE
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IB=0
--200mA
--100mA
--150mA
2SB1468
Pulse
From top
--500mA
--450mA
--400mA
--350mA
--300mA
--250mA
50mA
200mA
100mA
150mA
2SD2219
Pulse
From top
500mA
450mA
400mA
350mA
300mA
250mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE(ON) – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector
Current,
I C
–
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1468R | 12 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2219S | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1468S | 12 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2219Q | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2219R | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2219R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220VAR |
| 2SD2219S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220VAR |
| 2SD2220 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For low-frequency amplification) |
| 2SD22200RA | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2220Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126VAR |
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