參數(shù)資料
型號： 2SD2219S
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220ML, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 37K
代理商： 2SD2219S
2SB1468/2SD2219
No.3364–3/4
ITR09795
A S O
10ms1ms
--1.0
3
5
2
3
2
3
55
3
777
--10
--100
--1.0
5
3
2
--10
--0.1
ICP=–20A
IC=–12A
DC
operation
ITR09791
VCE(sat) -- IC
5
--0.1
2
--0.01 23
35
--1.0
23
5
2 3
5
--10
--100
--0.1
--1.0
5
3
--10
5
--100
5
3
5
2
--0.01
2
3
2
I C
/ I B
=20
I C
/ I B
=10
ITR09794
VBE(sat) -- IC
5
1.0
2
0.1
0.01
23
5
10
5
100
32 3
1.0
5
7
3
2
10
5
3
100
5
3
2
ITR09792
VCE(sat) -- IC
5
0.1
2
0.01
23
35
1.0
23
5
2 3
5
10
100
0.1
1.0
5
3
10
5
3
5
2
0.01
2
100
5
3
2
ITR09793
VBE(sat) -- IC
5
--1.0
2
--0.1
--0.01
23
5
--10
5
--100
32 3
--1.0
5
7
3
2
--10
5
7
3
--100
5
7
3
2
100ms
ITR09796
A S O
1.0
3
5
2
3
2
3
55
3
77
7
10
100
1.0
5
3
2
10
0.1
ITR09789
hFE -- IC
--0.1
3
23
5
--1.0
--10
55
23
5
2
3
2
100
1000
5
3
2
5
3
2
1.0
10
5
3
2
ITR09790
hFE -- IC
0.1
3
23
5
1.0
10
55
23
5
2
3
2
100
1000
5
3
2
5
3
2
1.0
10
5
3
2
2SD2219
VCE=2V
Pulse
2SB1468
VCE= --2V
Pulse
2SB1468
IC / IB=20
Pulse
2SD2219
IC / IB=20
Pulse
2SB1468
Pulse
2SD2219
Pulse
I C
/ I B
=20
I C
/ I B
=10
2SB1468
10ms1ms
ICP=20A
IC=12A
DC
operation 100ms
2SD2219
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
1ms to 100ms : Single pulse
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
相關PDF資料
PDF描述
2SB1468S 12 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2219Q 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2219R 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1468-S 12 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1468-R 12 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2220 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For low-frequency amplification)
2SD22200RA 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2220Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126VAR
2SD2220R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126VAR
2SD2221 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*