參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2222S
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TOP-3L-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 214K
代理商： 2SD2222S
2SD2222
2
SJD00255BED
VBE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
ton, tstg, tf IC
Safe operation area
0
160
40
120
80
0
40
80
120
160
200
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
(PC=3.5W)
(1)
(2)
(3)
016
412
8
0
2
4
6
10
8
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
IB=1.0mA
TC=25C
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=1000
TC=–25C
25C
125C
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=1000
TC=–25C
25C
125C
10
102
103
104
105
0.1
1
10
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=5V
25C
–25C
TC=125C
0.1
1
10
100
1
10
102
103
104
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
0.01
0.1
1
10
100
012
210
48
6
Turn-on
time
t
on
,
Storage
time
t
stg
,
Fall
time
t
f
(
s)
Collector current I
C (A)
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=1000(–IB1=IB2)
VCC=50V
TC=25C
tstg
tf
ton
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1 000
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
t=10ms
t=1ms
DC
ICP
IC
Non repetitive pulse
TC=25C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2222P 8 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2222Q 8 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2225S 500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2225Q 500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2225R 500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD2223 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Driver Applications
2SD2224 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Driver Applications
2SD2225 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD22250RA 功能描述:TRANS NPN 120VCEO 500MA MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2225Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
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