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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2226KT146V |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SMT3, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | 2SD2226KT146V |
2SD2707 / 2SD2654 / 2SD2351 / 2SD2226K / 2SD2227S
Transistors
Rev.A
3/3
0.2
1
2
5
0.5
10
20
50 100
1000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
200
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
ΙΙ )
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(mV)
IC / IB=10
Ta=100
°C
25
°C
25°C
0.2
1
2
5
0.5
10
20
50 100
10000
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
200
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.8 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current (
Ι )
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(mV)
Ta=25
°C
IC/IB=10
20
50
0.2
1
2
5
0.5
10
20
50 100
10000
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
200
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.9 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current (
ΙΙ )
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(mV)
IC/IB=10
Ta=
25°C
100
°C
25
°C
2
5 10 20
50 100200 500
1000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1
1000
EMITTER CURRENT : IE (mA)
Fig.10 Gain bandwidth product
vs. emitter current
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
Ta=25
°C
VCE=5V
Measured
using pulse current
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
1000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
0.1
100
COLLRCTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
Fig.11 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
C
ob
(pF)
Ta=25
°C
f=1MHz
IE=0A
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0.01
10
IB (mA)
Fig.12 Output on resistance
vs. base current
Ron
:
(
)
Ta=25
°C
f=1kHz
Vi=100mV(rms)
RL=1k
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2707T2LW | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2707T2LV | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2351T106/V | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2240AR | 50 mA, 185 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2240G | 50 mA, 185 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2226KT146W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2226KU | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR |
| 2SD2226KV | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR |
| 2SD2226KVWT146 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD2226KW | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR |
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