參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2226KW
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 150毫安一（c）|的SOT - 23VAR
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
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代理商： 2SD2226KW
3
Power Transistors
2SD2209
R
th(t)
— t
10
–3
10
2
10
–2
1
Time t (s)
10
–1
10
10
3
10
4
0.1
1
10
100
1000
Note: R
was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) Without heat sink
(2) With a 50
×
50
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2227SW TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SPAK
2SD2227SWTP Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD2274
2SD2275P TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR
2SD2275Q TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2227S 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor (50V, 0.15A)
2SD2227STPV 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2227STPW 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2227SU 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SPAK
2SD2227SV 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SPAK
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