參數(shù)資料
型號： 2SD2247B
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SD2247B
2
Power Transistors
2SD2209
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
I
C
— L
coil
Area of safe operation (ASO)
0
150
125
100
25
75
50
0
25
20
15
10
5
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=1.3W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
6
5
4
3
2
1
I
B
=2mA
T
C
=25C
1mA
0.75mA
0.5mA
0.15mA
0.1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
I
C
/I
B
=250
T
C
=–25C
25C
100C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.1
100
10
1
0.3
3
30
I
C
/I
B
=250
T
C
=–25C
100C
25C
B
B
0.1
0.3
1
3
10
100
100000
10000
1000
300
3000
30000
V
CE
=3V
T
C
=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
F
F
1
3
10
30
100
1
1000
100
10
3
30
300
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
1
3
10
30
100
0.1
100
10
1
0.3
3
30
Load inductance L
coil
(mH)
C
C
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
10ms
300ms
t=1ms
I
CP
I
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2247C TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SD2249Q Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD2249R TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71
2SD2250P TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247VAR
2SD2250Q TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2247C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SD2248 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL TYPE (HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS FOR INDUCTIVE LOAD DRIVE)
2SD2249 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
2SD22490RA 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 5A MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2249Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*