參數(shù)資料
型號： 2SD2257
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： 2SD2257
2SD2257
2006-11-21
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
hFE – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Collector current IC (A)
Base-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
BE
(sat)
(V)
Collector current IC (A)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
VBE (sat) – IC
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
0
2.4
3.2
Common emitter
VCE = 2 V
1
2
3
Tc = 100°C
25
55
0.8
4.0
1.6
0.5
3
0.5
Common emitter
IC/IB = 1000
Tc = 55°C
25
100
1
5
3
0.3
0.1
1
10
30 50
0.05
0.3
5
0.03
0.1
0.3
0.5
1
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
IC max (pulsed)*
1 ms*
10 ms*
100 μs*
100
3
300
5
1
0.5
10000
0.01
1000
3000
0.03
0.1
0.3
1
10
Tc = 100°C
25
55
Common emitter
VCE = 2 V
3
30
100
300
0
1
3
1
2
3
5
Common emitter
Tc = 25°C (pulsed)
IB = 200 μA
300 μA
4
2
4
400 μA
500 μA
700 μA
1 mA
2 mA
3 mA
0.3
3
1
0.5
3
5
0.5
0.3
Tc = 55°C
100
25
Common emitter
IC/IB = 1000
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PDF描述
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