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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2261 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | 2SD2261 |
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
AP9585GM
td(on) tr
td(off)tf
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
-4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0
2
4
6
8
10
12
0
1020
3040
Q G , Total Gate Charge (nC)
-V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
I D = -2.7A
V DS = -64V
10
100
1000
10000
1
5
9
1317
2125
29
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
(A
)
T A =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
ja
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=125
oC/W
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4061KT146/MN | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4098T107/Q | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1681T | 1.2 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N3017 | Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 2SA1370E | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2263 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2264 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Low Frequency Transistor (20V,3A) |
| 2SD2264Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP |
| 2SD2264R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP |
| 2SD2264S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP |
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