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2SD2308B	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SIP
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2SD2309B	Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset

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2SD2308A

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SIP

2SD2308B

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SIP

2SD2308C

Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset

2SD2309A

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SIP

2SD2309B

Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
2SD2318TLU	功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK U RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2318TLV	功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD23210RA	功能描述:TRANS NPN 20VCEO 5A NS-B1 RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236）包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2329	制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD234	制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 60V 3A 25W BCE

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參數(shù)描述

2SD2318TLU

功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK U RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

2SD2318TLV

功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

2SD23210RA

功能描述:TRANS NPN 20VCEO 5A NS-B1 RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236）包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR

2SD2329

制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR

2SD234

制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 60V 3A 25W BCE

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英文描述：	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SIP
中文描述：	晶體管\|晶體管\|達(dá)林頓\|叩\| 80V的五（巴西）總裁\| 4A條一（c）\|園區(qū)
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文件大小：	37K
代理商：	2SD2308

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