參數(shù)資料
型號： 2SD2337
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220FM, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： 2SD2337
2SJ529(L),2SJ529(S)
3
Electrical Characteristics (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown voltage
V
(BR)DSS
–60
—
V
I
D = –10mA, VGS = 0
Gate to source breakdown voltage
V
(BR)GSS
±20
——V
I
G = ±100A, VDS = 0
Zero gate voltege drain current
I
DSS
—
–10
AV
DS = –60 V, VGS = 0
Gate to source leak current
I
GSS
——
±10
AV
GS = ±16V, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
–1.0
—
–2.0
V
I
D = –1mA, VDS = –10V
Static drain to source on state
R
DS(on)
—
0.12
0.16
I
D = –5A, VGS = –10V
Note4
resistance
R
DS(on)
—
0.17
0.24
I
D = –5A, VGS = –4V
Note4
Forward transfer admittance
|y
fs|
4.5
7.5
—
S
I
D = –5A, VDS = –10V
Note4
Input capacitance
Ciss
—
580
—
pF
V
DS = –10V
Output capacitance
Coss
—
300
—
pF
V
GS = 0
Reverse transfer capacitance
Crss
—
85
—
pF
f = 1MHz
Turn-on delay time
t
d(on)
—
10
—
ns
V
GS = –10V, ID = –5A
Rise time
t
r
—
40
—
ns
R
L = 6
Turn-off delay time
t
d(off)
—85
—
ns
Fall time
t
f
—60
—
ns
Body–drain diode forward voltage
V
DF
—
–1.2
—
V
I
F = –10A, VGS = 0
Body–drain diode reverse
recovery time
t
rr
—
60
—
ns
I
F = –10A, VGS = 0
diF/ dt = 50A/
s
Note:
4. Pulse test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2337C-E 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD2337D 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD2337C 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD2342B 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2342C 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SD2345GSL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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