參數(shù)資料
型號： 2SD2342
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 29K
代理商： 2SD2342
2SD2342
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
150
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
80
V
Emitter to base voltage
V
EBO
6V
Collector current
I
C
6A
Collector peak current
I
C(peak)
10
A
Collector power dissipation
P
C*
1
50
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–50 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
150
—
V
I
C = 5 mA, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
80
—
V
I
C = 50 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
6—
—
V
I
E = 5 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
10
A
V
CB = 120 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE1*
1
60
—
200
V
CE = 5 V, IC = 1 A
h
FE2
22
—
V
CE = 5 V, IC = 5 A
Base to emitter voltage
V
BE
—
1.0
V
CE = 5 V, IC = 1 A
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
1.5
V
I
C = 5 A, IB = 1 A
Note:
1. The 2SD2342 is grouped by h
FE1 as follows.
BC
60 to 120
100 to 200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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