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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2353 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 2SD2353 |
2SD2353
2006-11-21
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SD2353
Power Amplifier Applications
High DC current gain: hFE = 800 to 3200
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (typ.)
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
60
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
3
Collector current
Pulse
ICP
6
A
Base current
IB
0.6
A
Ta = 25°C
2
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
25
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are
within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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