參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2374
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
中文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220D
封裝： TO-220D, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： 2SD2374
2
Power Transistors
2SD2374, 2SD2374A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
40
32
24
16
8
36
28
20
12
4
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
6
5
4
3
2
1
I
=100mA
90mA
10mA
20mA
430mA
60mA
70mA
T
C
=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
1.2
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
8
6
2
5
7
4
1
3
V
CE
=4V
T
C
=25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
=8
T
C
=25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=4V
T
C
=25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=10V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
10ms
t=1ms
1s
2
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
3
10
2
(1)
Ta=25C
(2)
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
80
×
2mm Al heat sink
Time t (s)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2374A Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
2SD2375 Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current transfer ratio)
2SD2384 NPN TRIPLI DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SD2385 NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SD2386 NPN TRIPLI DIFFUSED TYPE ( POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2374AP 功能描述:TRANS NPN LF 80VCEO 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2374P 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2374PQAU 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2375 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DISCD TRANSISTOR
2SD23750P 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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