參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2406-O
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-10R1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： 2SD2406-O
2SD2406
2006-11-21
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
hFE – IC
DC
cur
re
nt
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
at
u
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
a
t)
(
V
)
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ollec
tor
po
wer
dis
si
pati
o
n
P
C
(W
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
4.0
0
Common emitter
Tc = 25°C
40
IB = 20 mA
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0.8
1.6
2.4
3.2
60
80
100
120
160
200
240
25
Tc = 75°C
4.0
0
Common
emitter
VCE = 5 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1.0
2.0
3.0
25
Tc = 75°C
1000
10
0.003
Common emitter
VCE = 5 V
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
5
30
50
100
300
500
25
Tc = 75°C
3
0.03
0.003
Common emitter
IC/IB = 10
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
5
0.05
0.1
0.3
0.5
1
35
0
Tc = Ta
Infinite heat sink
25
50
75
100
125
150
175
5
10
15
20
25
30
DC operation
Tc = 25°C
100 ms*
IC max (pulsed)*
IC max (continuous)
10 ms*
1 s*
1 ms*
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
10
0.1
1
VCE max
3
10
30
100
0.3
0.5
1
3
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2406 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2406-O 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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