參數(shù)資料
型號： 2SD2413
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planer type(For low-frequency output amplification)
中文描述： 100 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 37K
代理商： 2SD2413
1
Transistor
2SD2413
Silicon NPN triple diffusion planer type
For low-frequency output amplification
I
Features
G
High collector to base voltage V
CBO
.
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
Large collector power dissipation P
C
.
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the maga-
zine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–62
Mini Power Type Package
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
2
±
0
2
±
0
0
1
+
–
4
+
–
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
45
°
marking
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
400
400
5
200
100
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 500
μ
A, I
B
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 30mA
I
C
= 50mA, I
B
= 5mA
I
C
= 50mA, I
B
= 5mA
V
CB
= 30V, I
E
= –20mA, f = 200MHz
V
CB
= 30V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
400
400
5
30
typ
40
max
1.5
1.5
7
Unit
V
V
V
V
V
MHz
pF
Marking symbol :
1S
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SD241300L 功能描述:TRANS NPN 400VCEO .1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SD2414-SM(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SD2420AP 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 4A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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