參數(shù)資料
型號： 2SD2465A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220E, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： 2SD2465A
2
Power Transistors
2SD2465, 2SD2465A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
150
125
100
25
75
50
0
40
30
10
25
35
20
5
15
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C
=2.0W)
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
6
5
4
3
2
1
I
B
=60mA
50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
5mA
T
C
=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
T
C
=–25C
25C
100C
B
B
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(A)
3
30
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=2V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
=5V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
0
8
2
6
4
7
1
Collector current I
C
(A)
5
3
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=10 (I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=20V
T
C
=25C
t
stg
t
f
t
on
S
o
,
s
,
f
μ
s
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
10ms
DC
t=1ms
2
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2465 Silicon NPN epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SD2466 Silicon NPN epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SD2466A Silicon NPN epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SD2467 Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
2SD2468 Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD247 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 80V 5A 50W BEC
2SD2470TP 功能描述:達林頓晶體管 NPN 10V 5A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD24790RA 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2480(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SD2495 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM20 110V 6A 30W BCE
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