參數(shù)資料
型號: 2SD2568TLQ
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 0.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: CPT3, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 64K
代理商: 2SD2568TLQ
2SD2568
Transistors
Rev.A
2/2
Electrical characteristics curves
0.5mA
1.0mA
1.5mA
2.0mA
2.5mA
3.0mA
3.5mA
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
0
2
40
4
80
6
120
160
200
81
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.1 Grounded emitter output
characteristics
0
Ta=25 C
IB=0mA
0
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
Fig.2 Grounded emitter propagation
characteristics
VCE=3V
25
°C
25°C
Ta=100
°C
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
0.001 0.002
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
0.005 0.01
0.1 0.2
0.5
1
0.02
0.05
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.3 DC current gain
vs. collector current (
Ι )
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Ta=25 C
VCE=10V
5V
0.001 0.002
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
0.005 0.01
0.1 0.2
0.5
1
0.02
0.05
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 DC current gain
vs. collector current (
ΙΙ )
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
VCE=10V
25
°C
25°C
Ta=100
°C
0.001 0.002
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.005 0.01
0.1 0.2
0.5
1
0.02
0.05
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
Ι )
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
Ta=25 C
IC/IB=20
10
5
0.001 0.002
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.005 0.01
0.1 0.2
0.5
1
0.02
0.05
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
ΙΙ )
Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:V
BE(sat)
(V)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE(sat)
(V)
IC/IB=10
VBE(sat)
VCE(sat)
Ta=
25 C
Ta=100 C
25 C
100 C
25 C
0.001
0.002
0.01
0.05
0.2
0.005
0.02
0.1
1
2
5
10
20
50
100
200
500
EMITTER CURRENT : IE (A)
Fig.7 Gain bandwidth product
vs. emitter current
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
(V)
Ta=25 C
VCE=10V
1
2
5
10
20
50
100
200
500
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
Fig.8 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
C
ob
(pF)
f=1MHz
IE=0A
Ta=25 C
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