參數(shù)資料
型號： 2SD2582
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SD2582
4
2SD2582
VCE - Collector to Emitter Voltage - V
Collector to Emitter Voltage vs Collector Current
IC
-
Collector
Current
-
A
6
5
4
3
2
1
0
4.0
3.0
2.0
1.0
16 mA
12 mA
8mA
IB = 4 mA
DC Current Gaint vs Collector Current
IC - Collector Current - A
h
FE
-
DC
Current
Gain
1.0
10
100 m
10 m
1 m
10
1
100
1000
VC E = 2 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2605P 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2605Q 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2641 6 A, 110 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2648 15 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2657KT146 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2584(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans Darlington NPN 100V 7A 3-Pin(3+Tab) Case DP
2SD2586LBK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2588 制造商:Distributed By MCM 功能描述:110V 6A 50W Sanken Transistor Mt-25
2SD25980RA 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD260 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 100V 5A 50W BEC
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*