參數(shù)資料
型號： 2SD2643
英文描述： General Purpose NPN=2SB1687
中文描述： 通用叩\u003d 2SB1687
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 36K
代理商： 2SD2643
1
Power Transistors
2SD2605
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification
I
Features
G
High collector to emitter V
CEO
G
Allowing supply with the radial taping
I
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
200
150
6
3
2
20
2.0
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(T
C
=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Base to emitter voltage
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
BE
V
CE(sat)
f
T
Conditions
V
CB
= 200V, I
E
= 0
V
EB
= 4V, I
C
= 0
I
C
= 50
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
I
E
= 500
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 150mA
V
CE
= 10V, I
C
= 400mA
V
CE
= 10V, I
C
= 400mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
V
CE
= 10V, I
C
= 0.5A, f = 1MHz
min
200
150
6
60
50
typ
20
max
50
50
240
1
1
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
T
C
=25
°
C
Ta=25
°
C
Rank
Q
P
h
FE1
60 to 140
100 to 240
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
MT4 Type Package
1.0
10.0
±
0.2
0.55
±
0.1
2.5
±
0.2
2.5
±
0.2
4
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
S
5.0
±
0.1
2.25
±
0.2
1.2
±
0.1
0.65
±
0.1
1.05
±
0.1
0.55
±
0.1
C1.0
90
°
C1.0
1
2
3
0.35
±
0.1
*
h
FE1
Rank classification
相關PDF資料
PDF描述
2SD2656T106 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-323
2SD2657KT146 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-346
2SD2662 Transistors
2SD2624 Color TV Horizontal Deflection Output Applications
2SD2627LS Color TV Horizontal Deflection Output Applications
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2646-YD 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SD2652T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2653KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2653TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLV 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*