參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2648
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PMLH, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： 2SD2648
2SD2648
No.6923-2/4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collecotr
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
VCE(sat) -- IC
hFE -- IC
01
3
5
7
9
0
24
6
8
2
4
6
8
10
12
10
0.01
0.1
1.0
2
3
5
2
3
5
7
10
7
2
3
5
7
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
1.2
2
4
6
12
8
10
0
3
2
0.1
1.0
10
23
5
7
2
35
7
0.1
1.0
10
23
5
7
2
35
7
5
7
1.0
10
3
2
5
7
100
IT02994
IT02996
IT02997
IT02995
--40
°C
25
°C
IB=0
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
1.4A
1.6A
1.8A
2.0A
T
a=120
°C
VCE=5V
Ta=120°C
25
°C
--40°C
IC / IB=5
25
°C
120
°C
Ta= --40°C
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=10.8A, IB=2.16A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=10.8A, IB=2.16A
1.5
V
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
15
hFE2VCE=5V, IC=12A
5
8
Fall Time
tf
IC=7A, IB1=1.4A, IB2=--2.8A
0.3
μs
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --2V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
28.6Ω
100μF
470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2657KT146 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2663 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD2672T146 4000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2686 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2688LS 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SD2653KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2653TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLV 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLW 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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