參數(shù)資料
型號： 2SD2653K
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low frequency amplifier
中文描述： 低頻放大器
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： 2SD2653K
2SD2653K
Transistors
Low frequency amplifier
2SD2653K
!
Application
Low frequency amplifier
Driver
!
Features
1) A collector current is large.
2) V
CE(sat)
≤
180mV
At I
C
= 1A / I
B
= 50mA
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
JEDEC : SOT-346
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Abbreviated symbol
: FW
0
0
0
0.3Min.
1
(
(
2.8
1.6
0
(
2
1
0
Each lead has same dimensions
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
2
4
200
150
55~
+
150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°
C
°
C
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, P
W
=
1ms
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
15
12
6
270
Typ.
90
Max.
100
100
180
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
f
T
360
20
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
200mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
=
1A, I
B
=
50mA
V
CE
=
2V, I
C
=
200mA
Cob
!
Packaging specifications
2SD2653K
T146
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2653 Low frequency amplifier
2SD2656 General purpose amplification (30V, 1A)
2SD2657K Low frequency amplifier
2SD2657 Low frequency amplifier
2SD2658LS 2SD2685LS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2653KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2653TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLV 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLW 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2655WM-TL-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,50V,1A,MPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin MPAK T/R
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*