參數(shù)資料
型號： 2SD2661
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low frequency amplifier transistor(12V,2A)
中文描述： 晶體管低頻放大器（12V的2A號）
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： 2SD2661
2SD2661
Transistors
Low frequency amplifier transistor(12V, 2A)
Rev.A
1/2
2SD2661
z
Features
Low V
CE(sat)
≤
180mV
(I
C
/ I
B
= 1A / 50mA)
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
z
External dimensions
(Unit : mm)
ROHM : MPT3
JEITA : SC-62
JEDEC: SOT-89
1
0
1
0
1
0
3
0
1
(3)
4
(1)
(2)
0.5
4.0
2.5
1.0
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
Abbreviated symbol : FW
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
2
4
2
500
150
55 to
+
150
1
2
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
mW
W
°
C
°
C
Collector current
Collector Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
W
=
1ms Single Pulse
1 P
+
z
Packaging specifications
2SD2661
T100
1000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
Min.
15
12
6
270
Typ.
Max.
100
100
680
180
Unit
V
V
V
nA
nA
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
f
T
360
20
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
200mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
V
CE
=
2V, I
C
=
200mA
V
CE(sat)
90
mV
I
C
/ I
B
=
1A / 50mA
Cob
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
相關PDF資料
PDF描述
2SD2670 Low frequency amplifier
2SD2672 Low frequency amplifier
2SD2673 Low frequency amplifier
2SD2674 General purpose amplification (12V, 1.5A)
2SD2675 General purpose amplification (30V, 1A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2661T100 功能描述:TRANS NPN 12V 2A MPT3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2662T100 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2670TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2671TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2672TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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