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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2687STP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | 2SD2687STP |
2SD2687S
Transistors
Rev.A
2/2
Packaging specifications
package
Code
Taping
Basic ordering unit (pieces)
2SD2687S
TP
5000
Type
Electrical characteristic curves
0.1
1
10
0.001
0.01
BASE TO EMITTER CURRENT : VBE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(A)
0.1
1
10
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
Ic/IB=20/1
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=
45 C
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.2 DC current gain
vs. collector current
VCE=
2V
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=40 C
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : Ic (A)
COLLECTOR
TO
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
Ic/IB=20/1
VCE=2V
Pulsed
Ta=25 C
Ta=
45 C
Ta=100 C
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : Ic (A)
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(V)
Fig.4 Base-emitter saturation voltage
vs.collector current
Ta=25 C
Pulsed
IC/IB=20/1
IC/IB=50/1
IC/IB=10/1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
EMITTER CURRENT : IE (A)
TRANSITION
FREQUENCY
:
fT
(MHz)
Ta=25 C
VCE=
2V
f= 100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB(V)
COLLECTOR
TO
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(V)
Fig.6 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
Ic=0A
f=1MHz
Ta=25 C
Cib
Cob
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