型號: | 2SD314D |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五(巴西)總裁| 3A條一(c)| TO - 220AB現(xiàn)有 |
文件頁數(shù): | 9/12頁 |
文件大?。?/td> | 1026K |
代理商: | 2SD314D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD314E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
2SD314F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
2SD313 | POWER TRANSISTORS(3A,60V,30W) |
2SD313 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
2SD313 | PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD314E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
2SD314F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
2SD315 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-66 60V 4A 35W BEC |
2SD315AI | 制造商:Power Integrations 功能描述:IC IGBT DRIVER 1200V 15A PCB 制造商:CT CONCEPT 功能描述:IC, IGBT DRIVER, 1200V, 15A, PCB 制造商:Power Integrations 功能描述:IC, IGBT DRIVER, 1200V, 15A, PCB; Device Type:IGBT, MOSFET; Module Configuration:Dual; Peak Output Current:15A; Supply Voltage Max:15V; Driver Case Style:(Not Available); No. of Pins:44; Input Delay:300ns; Output Delay:350ns ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Power Integrations 功能描述:IC, IGBT DRIVER, 1200V, 15A, PCB; Device Type:IGBT, MOSFET; Module Configuration:Dual; Peak Output Current:15A; Supply Voltage Max:15V; No. of Pins:44; Input Delay:300ns; Output Delay:350ns; Operating Temperature Min:-40C ;RoHS Compliant: Yes |
2SD315AI UL | 功能描述:IC DUAL GATE DRIVER 18A 制造商:power integrations 系列:SCALE?-1 包裝:托盤 零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計 驅(qū)動配置:半橋 通道類型:- 驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:15V 邏輯電壓?- VIL,VIH:- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):18A,18A 輸入類型:- 上升/下降時間(典型值):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:16 |