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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD468 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SD468 |
2SD468
4
Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
C
V
C
1
10
100
1,000
25
°
C
Ta = 75
°
C
I
C
= 10 I
B
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
3
30
300
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
G
T
1,000
30
100
10
300
300
200
100
0
V
CE
= 2 V
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
C
o
f = 1 MHz
I
E
= 0
1
200
100
50
20
10
5
5
20
2
10
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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