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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD637 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | 2SD637 |
2
Transistor
2SD637
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
B
— V
BE
I
C
— V
BE
I
C
— I
B
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
500
400
300
200
100
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
10
8
2
6
4
0
60
50
40
30
20
10
Ta=25C
I
B
=160
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
60
μ
A
80
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
1200
1000
800
600
400
200
V
=10V
Ta=25C
B
B
μ
A
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
200
160
120
80
40
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
0
1000
800
200
Base current I
B
(
μ
A)
600
400
0
240
200
160
120
80
40
V
=10V
Ta=25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
25C
–25C
Ta=75C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0
–1
–10
–100
– 0.3
Emitter current I
E
(mA)
–3
–30
300
240
120
180
60
V
=10V
Ta=25C
T
T
1
3
10
30
100
0
12
10
8
6
4
2
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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