型號(hào): | 2SD880O |
廠商: | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五(巴西)總裁| 3A條一(c)| TO - 220AB現(xiàn)有 |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 131K |
代理商: | 2SD880O |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD880 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
2SD880 | POWER TRANSISTORS(3A,60V,30W) |
2SD882-C-TA3-B | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
2SD882-C-T6C-B | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
2SD882-C-T6C-K | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD880-Q | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Silicon Power Transistors |
2SD880Y | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DISCD TRANSISTOR |
2SD880-Y | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Silicon Power Transistors |
2SD882 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD882_05 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |