參數(shù)資料
型號(hào): 2SH12
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel IGBT
中文描述: 硅N溝道IGBT的
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商: 2SH12
100
80
60
40
20
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
0
Collector to Emitter Voltage V (V)
200
400
600
800
100
10
1
0.01
0.1
Tc = 25 °C
C
C
Reverse Bias SOA
50
40
30
20
10
0
4
2
6
8
10
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
C
V = 15 V
12 V
10 V
8 V
6 V
Pulse Test
Ta = 25 °C
Typical Output Characteristics
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
C
Ta = 25 °C
DCOpeaion
1m
PW=1 m( ht
10μ
Maximum Safe Operation Area
3
2SH12
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