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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SH16 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel IGBT |
| 中文描述： | 硅N溝道IGBT的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | 2SH16 |
200
160
120
80
40
C
C
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V (V)
75 °C
Tc = –25 °C
25 °C
Pulse Test
V = 10 V
Typical Transfer Characteristics
50
20
10
5
2
1
0.52
5
Collector Current I (A)
10
20
50
C
V
C
25 °C
Tc =75 °C
Pulse Test
V = 15 V
100 200
–25 °C
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
10000
1000
100
0
10
20
30
40
50
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
Cies
Coes
Cres
V = 0
f = 1 MHz
Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
10
8
6
4
2
C
C
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V (V)
I = 75 A
50 A
25 A
V
Pulse Test
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
4
2SH16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SH17 | Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH18 | Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH19 | Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH20 | Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH21 | Silicon N-Channel IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SH17 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH18 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH19 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH20 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH21 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
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