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參數資料
| 型號： | 2SH20 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel IGBT |
| 中文描述： | 硅N溝道IGBT的 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | 2SH20 |
200
150
100
50
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
100
10
1
0.1
0
200
400
600
800
Tc = 25 °C
Collector to Emitter Voltage V (V)
CE
C
C
Reverse Bias SOA
100
80
60
40
20
0
4
2
6
8
10
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
C
V = 15 V
12 V
10 V
8 V
6 V
Pulse Test
Ta = 25 °C
Typical Output Characteristics
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
C
Ta = 25 °C
DCOpeaion
100μs
PW=10ms
Maximum Safe Operation Area
3
2SH20
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SH22 | Silicon N-Channel IGBT |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SH21 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH22 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH26 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 2SH27 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 2SH28 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
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