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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ160 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 2SJ160 |
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
2
Outline
D
G
S
1
2
3
TO-3P
1. Gate
2. Source
(Flange)
3. Drain
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SJ160
V
DSX
–120
V
2SJ161
–140
2SJ162
–160
Gate to source voltage
V
GSS
±15
V
Drain current
I
D
–7
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
–7
A
Channel dissipation
Pch*
1
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ79 | |
| 2N7000 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 2N683 | 25 and 35 Amp RMS SCRs |
| 206A | Interface IC |
| 206B | Interface IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ160-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ161 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ161(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ161-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
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