參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ161-E
元件分類： JFETs
英文描述： 7 A, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SC-65, TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： 2SJ161-E
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 3 of 5
Main Characteristics
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Case Temperature
Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage
VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage
VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Transfer Characteristics
–10
0
–2
–4
–6
–8
0
–10
–20
–30
–40
–50
–1.0
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Tc = –25°C
75°C
150
0
50
100
0
50
100
150
VDS = –10 V
–9
–1 V
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
VGS = 0
Drain to Source Voltage
VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Maximum Safe Operation Area
–5
–2
–1
–0.5
–0.2
–5
–10 –20
–50 –100 –200
–500
–20
–10
Ta = 25°C
Tc = 25°C
ID max (Continuous)
(–14.3 V,
–7 A)
2SJ160
2SJ161
2SJ162
(–120 V, –0.83 A)
PW
=
100
ms
(1
shot)
PW
=
10
ms
(1
shot)
DC
Operation
(Tc
=
25°C)
Gate to Source Voltage
VGS (V)
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(on)
(V)
Drain to Source Voltage vs.
Gate to Source Voltage
–10
0
–2
–4
–6
–8
0–2
–4
–6
–8
–10
Pulse Test
ID = –1 A
–2 A
–5 A
Drain Current
ID (A)
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(sat)
(V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Drain Current
–2
–1
–0.2
–0.5
–0.1
–0.5
–2
–5
–0.1
–1
–10
–0.2
–10
–5
VGD = 0 V
Pch
= 100
W
Tc = –25°C
25°C
(–140 V, –0.71 A)
(–160 V, –0.63 A)
25°C
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PDF描述
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2SJ166 100 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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2SJ163 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Switching
2SJ164 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching
2SJ165 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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