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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ182L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | 2SJ182L |
2SJ182(L), 2SJ182(S)
7
–5
–0.8
–2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
–4
–0.4
–1.2
–1.6
–2
–3
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
0
–1
–10 V
–5 V
V
GS
= 0, 5 V
D = 1
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
1 Shot Pulse
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 6.25°C/W, T
C
= 25°C
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vin
–10 V
50
D.U.T
Vout Monitor
R
L
V
=
Waveforms
Vin
Vout
t
d
(on)
10%
t
r
t
f
10%
90%
90%
10%
90%
t
d
(off)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ182S | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
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參數(shù)描述 |
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