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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ319S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 2SJ319S |
2SJ319(L), 2SJ319(S)
7
–5
–4
–3
–2
–1
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
Source to Drain Voltage V (V)
Pulse Test
–10 V
V = 0, 5 V
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
D = 1
0.5
0.2
0.01
0.02
0.1
0.05
1sho Puse
Tc = 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
-10 V
R
L
V
= 30 V
..
DD
tr
td(on)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
50
90%
10%
t
f
Switching Time Test Circuit
Waveforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ320 | P-Channel Silicon MOSFET for Ultrahigh-Speed Switching Applications(用于超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的P溝道MOSFET) |
| 2SJ321 | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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