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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ351 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 2SJ351 |
2SJ351, 2SJ352
Silicon P-Channel MOS FET
ADE-208-1193 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SK2220, 2SK2221
Features
High power gain
Excellent frequency response
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Ordering Information
Type No.
V
DSX
2SJ351
–180 V
2SJ352
–200 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ352 | |
| 2SJ387(L) | |
| 2SJ387(S) | |
| 2SJ479(L) | |
| 2SJ479(S) | |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ351(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SJ351-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ352 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube |
| 2SJ352-E | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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