參數(shù)資料
型號： 2SJ505(S)
文件頁數(shù)： 5/12頁
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代理商： 2SJ505(S)
2SJ505(L), 2SJ505(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
–60
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
–50
A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
–200
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
–50
A
Avalanche current
I
AP*
3
–50
A
Avalanche energy
E
AR*
3
214
mJ
Channel dissipation
Pch*
2
75
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW
≤ 10s, duty cycle ≤ 1 %
2. Value at Tc = 25°C
3. Value at Ta = 25°C, Rg
≥ 50 , L=100H
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ506(L)
2SJ506(S)
2SJ527(L)
2SJ527(S)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SJ505STL-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
2SJ506 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SJ506L 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
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