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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ616 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 30 V, 0.069 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | 2SJ616 |
2SJ616
No.7270-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=--10V, f=1MHz
510
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--10V, f=1MHz
115
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--10V, f=1MHz
78
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
11
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
12
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
34
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
23.5
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--6A
11
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--6A
2.4
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--6A
1.7
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--6A, VGS=0V
--0.9
--1.5
V
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-003
PW=10μs
D.C.≤1%
0V
--10V
VIN
P.G
50Ω
G
S
ID= --3A
RL=5Ω
VDD= --15V
VOUT
VIN
D
2SJ616
0
--0.5
--2.0
--2.5
--4.0
--3.0
--3.5
--0.2
--1.5
--1.0
0
--1
--3
--4
--6
--5
--2
--0.5
--1.0
--0.8
--0.9
--0.1
--0.3
--0.4
--0.6
--0.7
ID -- VDS
IT04757
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
ID -- VGS
IT04758
VGS= --2.5V
--10.0V
--4.5V
--6.0V
--8.0V
--4.0V
--3.5V
--3.0V
VDS= --10V
25
°C
--25
°C
T
c=75
°C
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ621-A | 3500 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ621 | 3500 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 2SJ633-TL | 4000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ633-TL | 4000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SJ619(TE24L,Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET P-CH 100V 16A SC-97 |
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