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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1154 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 2SK1154 |
2SK1153, 2SK1154
5
5
4
3
2
1
0
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature T
C
(°C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
V
= 10 V
Pulse Test
S
R
D
)
3 A
I
D
= 1 A
2 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
5
2
1.0
0.5
0.05
0.1
0.2
Drain Current I
D
(A)
1.0
2
5
0.1
0.2
0.5
V
= 10 V
Pulse Test
75°C
–25°C
F
y
T
C
= 25°C
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
1,000
500
100
50
20
10
0.05
200
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
di/dt = 100 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
= 0
Pulse Test
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
1,000
100
10
1
0
10
20
30
40
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
Coss
Ciss
Crss
V
= 0
f = 1 MHz
Dynamic Input Characteristics
500
400
300
200
100
0
4
8
12
16
20
Gate Charge Qg (nc)
D
D
20
16
12
8
4
0
G
G
400 V
V
DS
I
D
= 3 A
V
GS
250 V
V
= 400 V
250 V
100 V
V
DD
= 100 V
Switching Characteristics
500
100
50
20
10
5
0.05
200
S
0.1
0.2
Drain Current I
D
(A)
0.5
1.0
2
5
t
f
V
= 10 V V
= 30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1%
t
d (on)
t
r
t
d (off)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1155 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1156 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1157 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1158 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1159 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1154-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1155 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1155(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1155-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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