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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1159 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 2SK1159 |
2SK1159, 2SK1160
4
60
40
20
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
C
Power vs. Temperature Derating
50
10
1.0
0.05
10
100
1,000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
20
5
0.2
1
3
30
300
Ta = 25°C
2SK1160
2SK1159
100
μ
s
DCOpeaion(T
C
=25C
10
μ
s
i imtdb R
DS
o)
2
0.5
0.1
20
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
Typical Output Characteristics
16
4
10
30
40
Pulse Test
0
8
12
5.5 V
5.0 V
V
GS
= 4 V
6 V
10 V
4.5 V
20
4
10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
16
4
2
6
8
0
8
12
V
= 20 V
Pulse Test
Ta = 25°C
–25°C
75°C
10
8
20
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
8
2
4
12
16
0
4
6
5 A
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
10 A
I
D
= 2 A
Pulse Test
10
2
50
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
5
0.2
1.0
5
20
0.5
1.0
2
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.5
0.1
10
15 V
Pulse Test
V
GS
= 10 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1160 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1161 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1162 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1163 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1164 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1160 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1161 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 450V 10A 3PIN TO-P - Rail/Tube 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1161(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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