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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1165 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 2SK1165 |
2SK1165, 2SK1166
4
120
80
40
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
C
Power vs. Temperature Derating
100
10
1.0
0.1
10
100
1,000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
30
3
0.3
1
3
30
300
Ta = 25°C
2SK1166
2SK1165
10
μ
s
100
s
DCOpeai1ms
C
=25C
i imtdb R
DSo)
20
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Typical Output Characteristics
16
4
10
30
40
0
8
12
5.0 V
4.5 V
V
GS
= 4 V
5.5 V
6 V
10 V
8 V
20
4
10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
16
4
2
6
8
–25°C
T
C
= 25°C
0
8
12
V
= 20 V
Pulse Test
75°C
10
8
20
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
8
2
4
12
16
0
4
6
I
D
= 5 A
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
10 A
Pulse Test
15 A
5
2
50
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
2
0.1
1.0
5
20
0.5
0.5
1.0
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
V
GS
= 10 V
Pulse Test
15 V
0.2
0.05
10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1166 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1167 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1168 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1169 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1170 | Silicon N-Channel MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1165(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1165-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1166 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1166(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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