- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄351959 > 2SK1206 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1206 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | 2SK1206 |
2SK1254(L), 2SK1254(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
120
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
3A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
12
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
3A
Channel dissipation
Pch*
2
20
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW 10 s, duty cycle 1%
2. Value at T
C =
25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1212-01 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK1214 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-186 |
| 2SK1215D | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK1215E | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-323 |
| 2SK1215F | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK121 | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET |
| 2SK1211 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-247 |
| 2SK1211-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-247 |
| 2SK1212-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-199VAR |
| 2SK1212-01R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。