- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄351886 > 2SK1262 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | SOT-186 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1262 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | SOT-186 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 30A條（?。﹟的SOT - 186 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | 2SK1262 |
2SK1254(L), 2SK1254(S)
4
Power vs. Temperature Derating
30
20
10
0
Channel
Dissipation
Pch
(W)
50
100
150
Case Temperature TC (°C)
Maximum Safe Operation Area
1
10
1,000
Drain to Source Voltage VDS (V)
0.5
0.05
100
50
2
Drain
Current
I
D
(A)
1 ms
100
s
10
s
300
30
3
0.1
0.2
1.0
5
10
20
PW
=
10
ms
(1
Shot)
Operation in this
area is limited
by RDS (on)
DC
Operation
(T
C =
25°C)
Ta = 25°C
Typical Output Characteristics
5
4
3
2
0
4
8
12
16
20
1
Drain
Current
I
D
(A)
Drain to Source Voltage VDS (V)
Pulse Test
VGS = 2 V
4 V
3 V
2.5 V
10 V
Typical Transfer Characteristics
4
3
2
1
0
12
3
4
5
Gate to Source Voltage VGS (V)
5
75°C
Drain
Current
I
D
(A)
VDS = 10 V
Pulse Test
–25°C
TC = 25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SK1265 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
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參數(shù)描述 |
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